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發(fā)布時(shí)間: 2024-08-13
產(chǎn)品型號(hào): GDAT-A
廠商性質(zhì): 生產(chǎn)廠家
所 在 地: 北京市海淀區(qū)上地科技園上地十街1號(hào)
產(chǎn)品特點(diǎn): 介電常數(shù)介質(zhì)損耗測(cè)試儀電感器:按測(cè)試頻率要求,需要配置不同量的電感器。例如:在1MHz測(cè)試頻率時(shí),要配250µH電感器,在50MHz測(cè)試頻率時(shí),要配0.1µH電感器等。高頻介質(zhì)樣品(選購(gòu)件):在現(xiàn)行高頻介質(zhì)材料檢定系統(tǒng)中,檢定部門為高頻介質(zhì)損耗測(cè)量?jī)x提供的測(cè)量標(biāo)準(zhǔn)是高頻標(biāo)準(zhǔn)介質(zhì)樣品。該樣品由人工藍(lán)寶石,石英玻璃,氧化鋁陶瓷,聚四氟乙烯,環(huán)氧板等材料做成Φ50mm,厚1~2mm測(cè)試樣品。
介電常數(shù)測(cè)試儀由高頻阻抗分析儀、測(cè)試裝置,標(biāo)準(zhǔn)介質(zhì)樣品組成,能對(duì)絕緣材料進(jìn)行高低頻介電常數(shù)(ε)和介質(zhì)損耗角(D或tanδ) 的測(cè)試。它符合國(guó)標(biāo)GB/T 1409-2006,美標(biāo)ASTM D150以及IEC60250規(guī)范要求。 介電常數(shù)測(cè)試儀工作頻率范圍是20kHz~60MHz,它能完成工作頻率內(nèi)對(duì)絕緣材料的相對(duì)介電常數(shù)(ε)和介質(zhì)損耗角 (D或tanδ)變化的測(cè)試。 系列中測(cè)試裝置是由平板電容器組成,平板電容器一般用來夾被測(cè)樣品,配用高頻阻抗分析儀作為指示儀器。絕緣材料的介電常數(shù)和損耗值是通過被測(cè)樣品放入平板電容器和不放樣品的D值(損耗值)變化和Cp(電容值)讀數(shù)通過公式計(jì)算得到。
1 特點(diǎn):
◎ 高頻阻抗分析儀電容值Cp分辨率0.00001pF和6位D值顯示,保證了ε和D值精度和重復(fù)性。
◎ 介電常數(shù)測(cè)量范圍可達(dá)1~105
2 主要技術(shù)指標(biāo):
2.1 ε和D性能:
2.1.1 固體絕緣材料測(cè)試頻率20Hz~1MHz的ε和D變化的測(cè)試。
2.1.2 ε和D測(cè)量范圍:ε:1~105,D:0.1~0.00005,
2.1.3 ε和D測(cè)量精度(10kHz):ε:±2% , D:±5%±0.0001。
2.2高頻阻抗分析儀和數(shù)字電橋
工作頻率范圍 | 20kHz~60MHz 數(shù)字合成,精度:±0.02% |
電容測(cè)量范圍 | 0.00001pF~9.99999F 六位數(shù)顯 |
電容測(cè)量基本誤差 | ±0.05% |
損耗因素D值范圍 | 0.00001~9.99999 六位數(shù)顯 |
儀器滿足標(biāo)準(zhǔn)GB/T 1409-2006 測(cè)量電氣絕緣材料在工頻、音頻、高頻(包括米波波長(zhǎng)在內(nèi))下電容率和介質(zhì)損耗因數(shù)的推薦方法。適用于測(cè)定熱塑性、熱固性塑料在1MHz條件下的電容率和介質(zhì)損耗因數(shù)。
GDAT的全數(shù)字化界面和微機(jī)控制使讀數(shù)清晰穩(wěn)定、操作簡(jiǎn)便。操作者能在任意點(diǎn)頻率或電容值的條件下檢測(cè)Q值甚至tanδ,無須關(guān)注量程和換算,*摒棄了傳統(tǒng)Q表依賴面板上印制的輔助表格操作的落后狀況,它無疑是電工材料高頻介質(zhì)損耗角正切值(tanδ)和介電常數(shù)(ε)測(cè)量的理想工具。
介質(zhì)損耗測(cè)試系統(tǒng)主要性能參數(shù)
BH916測(cè)試裝置:
平板電容極片 Φ50mm
間距可調(diào)范圍≥15mm
夾具插頭間距25mm±0.01mm
測(cè)微桿分辨率0.001mm
夾具損耗角正切值≦4×10-4 (1MHz)
GDAT高頻Q表:
可選頻率范圍20KHz-60MHz
頻率指示誤差3×10-5±1個(gè)字
主電容調(diào)節(jié)范圍30-500
主調(diào)電容誤差<1%或1pF
Q測(cè)試范圍2~1023
介電常數(shù)介質(zhì)損耗測(cè)試儀電感器:
按測(cè)試頻率要求,需要配置不同量的電感器。
例如:在1MHz測(cè)試頻率時(shí),要配250μH電感器,在50MHz測(cè)試頻率時(shí),要配0.1μH電感器等。
高頻介質(zhì)樣品(選購(gòu)件):
在現(xiàn)行高頻介質(zhì)材料檢定系統(tǒng)中,檢定部門為高頻介質(zhì)損耗測(cè)量?jī)x提供的測(cè)量標(biāo)準(zhǔn)是高頻標(biāo)準(zhǔn)介質(zhì)樣品。
該樣品由人工藍(lán)寶石,石英玻璃,氧化鋁陶瓷,聚四氟乙烯,環(huán)氧板等材料做成Φ50mm,厚1~2mm測(cè)試樣品。用戶可按需訂購(gòu),以保證測(cè)試裝置的重復(fù)性和準(zhǔn)確性。
介電常數(shù)介質(zhì)損耗測(cè)試儀特點(diǎn):
◎ 本公司創(chuàng)新的自動(dòng)Q值保持技術(shù),使測(cè)Q分辨率至0.1Q,使tanδ分辨率至0.00005 。
◎ 能對(duì)固體絕緣材料在10kHz~120MHz介質(zhì)損耗角(tanδ)和介電常數(shù)(ε)變化的測(cè)試。
◎ 調(diào)諧回路殘余電感值低至8nH,保證100MHz的(tanδ)和(ε)的誤差較小。
◎ 特制LCD屏菜單式顯示多參數(shù):Q值,測(cè)試頻率,調(diào)諧狀態(tài)等。
◎ Q值量程自動(dòng)/手動(dòng)量程控制。
◎ DPLL合成發(fā)生1kHz~60MHz, 50kHz~160MHz測(cè)試信號(hào)。獨(dú)立信號(hào) 源輸出口,所以本機(jī)又是一臺(tái)合成信號(hào)源。
◎ 測(cè)試裝置符合國(guó)標(biāo)GB/T 1409-2006,美標(biāo)ASTM D150以及IEC60250規(guī)范要求。
介電常數(shù)和介質(zhì)損耗測(cè)試儀工作頻率范圍是10kHz~120MHz,它能完成工作頻率內(nèi)材料的高頻介質(zhì)損耗角(tanδ)和介電常數(shù)(ε)變化的測(cè)試。
本儀器中測(cè)試裝置是由平板電容器和測(cè)微圓筒線性電容器組成,平板電容器一般用來夾被測(cè)樣品,配用Q表作為指示儀器。
絕緣材料的損耗角正切值是通過被測(cè)樣品放入平板電容器和不放樣品的Q值變化和厚度的刻度讀數(shù)通過公式計(jì)算得到。
同樣,由測(cè)微圓筒線性電容器的電容量讀數(shù)變化,通過公式計(jì)算得到介電常數(shù)。
介電常數(shù)介質(zhì)損耗測(cè)試儀主要技術(shù)指標(biāo):
2.1 tanδ和ε性能:
2.1.1 固體絕緣材料測(cè)試頻率10kHz~120MHz的tanδ和ε變化的測(cè)試。
2.1.2 tanδ和ε測(cè)量范圍:
tanδ:0.1~0.00005,ε:1~50
2.1.3 tanδ和ε測(cè)量精度(1MHz):
tanδ:±5%±0.00005,ε:±2%
工作頻率范圍:50kHz~50MHz 四位數(shù)顯,壓控振蕩器
Q值測(cè)量范圍:1~1000三位數(shù)顯,±1Q分辨率
可調(diào)電容范圍:40~500 pF ΔC±3pF
電容測(cè)量誤差:±1%±1pF
Q表殘余電感值:約20nH
介電常數(shù)介質(zhì)損耗測(cè)試儀裝置:
2.3.1 平板電容器極片尺寸::Φ38mm和Φ50mm二種.
2.3.2 平板電容器間距可調(diào)范圍和分辨率:0~8mm, ±0.01mm
2.3.3 圓筒電容器線性: 0.33 pF /mm±0.05 pF,
2.3.4 圓筒電容器可調(diào)范圍:±12.5mm(±4.2pF)
2.3.5 裝置插頭間距:25mm±0.1mm
2.3.6 裝置損耗角正切值:≤2.5×10-4