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發(fā)布時(shí)間： 2024-08-14
產(chǎn)品型號(hào)： GDAT
產(chǎn)品報(bào)價(jià)： 
廠(chǎng)商性質(zhì)： 生產(chǎn)廠(chǎng)家
所 在 地： 北京市海淀區(qū)上地科技園上地十街1號(hào)
產(chǎn)品特點(diǎn)： 漆膜介電常數(shù)測(cè)試儀介質(zhì)損耗和介電常數(shù)是各種電瓷、裝置瓷、電容器等陶瓷，還有復(fù)合材料等的一項(xiàng)重要的物理性質(zhì)，通過(guò)測(cè)定介質(zhì)損耗角正切tanδ及介電常數(shù)（ε），可進(jìn)一步了解影響介質(zhì)損耗和介電常數(shù)的各種因素，為提高材料的性能提供依據(jù)；儀器的基本原理是采用高頻諧振法，并提供了，通用、多用途、多量程的阻抗測(cè)試。
漆膜介電常數(shù)測(cè)試儀工作特性：
1．Q值測(cè)量
a．Q值測(cè)量范圍：2～1023；
b．Q值量程分檔：30、100、300、1000、自動(dòng)換檔或手動(dòng)換檔；
c．標(biāo)稱(chēng)誤差
| A | C |
頻率范圍 | 25kHz～10MHz | 100kHz～10MHz |
固有誤差 | ≤5％±滿(mǎn)度值的2% | ≤5％±滿(mǎn)度值的2% |
工作誤差 | ≤7％±滿(mǎn)度值的2% | ≤7％±滿(mǎn)度值的2% |
頻率范圍 | 10MHz～60MHz | 10MHz～160MHz |
固有誤差 | ≤6％±滿(mǎn)度值的2% | ≤6％±滿(mǎn)度值的2% |
工作誤差 | ≤8％±滿(mǎn)度值的2% | ≤8％±滿(mǎn)度值的2% |
2．電感測(cè)量范圍
A | C |
14.5nH～8.14H | 4.5nH～140mH |
3．電容測(cè)量
| A | C |
直接測(cè)量范圍 | 1～460p | 1～205p |
主電容調(diào)節(jié)范圍 | 40～500pF | 18～220pF |
準(zhǔn)確度 | 150pF以下±1.5pF； 150pF以上±1% | 150pF以下±1.5pF 150pF以上±1% |
注：大于直接測(cè)量范圍的電容測(cè)量見(jiàn)使用方法。
4．信號(hào)源頻率覆蓋范圍
| A | C |
頻率范圍 | 10kHz～60MHz | 0.1～160MHz |
CH1 | 10～99.9999kHz | 0.1～0.999999MHz |
CH2 | 100～999.999kHz | 1～9.99999MHz |
CH3 | 1～9.99999MHz | 10～99.9999MHz |
CH4 | 10～60MHz | 100～160MHz |
頻率指示誤差 | 3×10-5±1個(gè)字 | |
漆膜介電常數(shù)測(cè)試儀讀書(shū)清晰,無(wú)須換算,操作簡(jiǎn)便,特別適合電子元器件的質(zhì)量分析,品質(zhì)控制,科研生產(chǎn),也可用于高校的電子信息,電子通信,材料科學(xué)等專(zhuān)業(yè)作科研實(shí)驗(yàn)儀器.
2.技術(shù)指標(biāo)
2.1 測(cè)量范圍及誤差
本電橋的環(huán)境溫度為20±5℃，相對(duì)濕度為30％－80％條件下，應(yīng)滿(mǎn)足
下列表中的技術(shù)指示要求。
在Cn＝100pF R4＝3183.2（W）（即10K/π）時(shí)
測(cè)量項(xiàng)目 測(cè)量范圍 測(cè)量誤差
電容量Cx 40pF--20000pF ±0.5% Cx±2pF
介質(zhì)損耗tgd 0～1 ±1.5％tgdx±0.0001
在Cn＝100pF R4＝318.3（W）（即1K/π）時(shí)
測(cè)量項(xiàng)目 測(cè)量范圍 測(cè)量誤差
電容量Cx 4pF--2000pF ±0.5% Cx±3pF
介質(zhì)損耗tgd 0～0.1 ±1.5％tgdx±0.0001
2.2 電橋測(cè)量靈敏度
電橋在使用過(guò)程中，靈敏度直接影響電橋平衡的分辨程度，為保證測(cè)量準(zhǔn)確度，
希望電橋靈敏度達(dá)到一定的水平。通常情況下電橋靈敏度與測(cè)量電壓，標(biāo)準(zhǔn)電容量
成正比。
在下面的計(jì)算公式中，用戶(hù)可根據(jù)實(shí)際使用情況估算出電橋靈敏度水平，在這
個(gè)水平上的電容與介質(zhì)損耗因數(shù)的微小變化都能夠反應(yīng)出來(lái)。
DC/C或Dtgd=Ig/UwCn(1+Rg/R4+Cn/Cx)
式中：Ｕ為測(cè)量電壓 伏特（Ｖ）
ω為角頻率 2pf=314(50Hz)
Ｃｎ標(biāo)準(zhǔn)電容器容量 皮法（pＦ）
Ｉｇ通用指另儀的電流5X10-10 安培（Ａ）
Ｒｇ平衡指另儀內(nèi)阻約1500 歐姆（W）
Ｒ４橋臂R4電阻值3183 歐姆（W）
Ｃｘ被測(cè)試品電容值 皮法（ｐF）
2.3 電容量及介損顯示精度：
電容量： ±0.5%×tgδx±0.0001。
介 損： ±0.5％tgdx±1×10-4
2.4 輔橋的技術(shù)特性：
工作電壓±12V，50Hz
輸入阻抗>1012 W
輸出阻抗>0.6 W
放大倍數(shù)>0.99
不失真跟蹤電壓 0～12V（有效值）
2.5 指另裝置的技術(shù)特性：
工作電壓±12V
在50Hz時(shí)電壓靈敏度不低于1X10-6V／格， 電流靈敏度不低于2X10-9A／格
二次諧波 減不小于25db
三次諧波 減不小于50db
表正常工作條件
a. 環(huán)境溫度：0℃～+40℃；
b．相對(duì)濕度：<80％；
c．電源：220V±22V，50Hz±2.5Hz。
Q合格指示預(yù)置功能：預(yù)置范圍：5～1000
地址：北京市海淀區(qū)上地科技園上地十街1號(hào)
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