導(dǎo)熱硅脂工頻介電常數(shù)介質(zhì)損耗測(cè)試儀每一 00增檔0 容0V檔有量，十A51：二加共V5 ，

1 Ax01 m0a2Ωm≤× 010 1 

注：濕度的顯著影響常常發(fā)生在1MHz以下及微波頻率范圍內(nèi)。

5ma1≤0 mx1  l0Ω  1  0×A

儀數(shù)介損要介常術(shù)擾工參干主抗技測(cè)頻電試數(shù)耗質(zhì)

.x 1.00±0δ0t50耗損損δ±t0%g1- .介1g

高路壓保護(hù)·短

可T性5變比T變具相和C、差C極功，能、有比量V測(cè)位測(cè)量。誤V

保TC·V護(hù)過壓

 0U拉 壓 中電(標(biāo) =H容容率πf  z 電F  )特  角  準(zhǔn)頻為量 器(式C    n: 量法1  4測(cè)(5為)32 伏ω 

，能這小損變耗況度化微計(jì)面敏在可 據(jù)的式情 平應(yīng)實(shí)用。與電數(shù)平算估下根來容的夠都，反質(zhì)的電戶橋在介際出個(gè)出 靈中 水公上算水因

 V ω=  IC

電于02靈×度9低-不敏 流/格1A

說壓電明作工

完損廠用菜擾場(chǎng)機(jī)于量測(cè)高各自單干測(cè)量作高設(shè)抗常采用成耗測(cè)頻電介的術(shù)儀度過試變中程了量正全采，工測(cè)精技等容能現(xiàn)備。質(zhì)頻電值的壓自介。電由在動(dòng)損下量文證介數(shù)擾準(zhǔn)力儀操微電發(fā)強(qiáng)變及動(dòng)儀全器確是，切保器電場(chǎng)干電種站、。

導(dǎo)熱硅脂工頻介電常數(shù)介質(zhì)損耗測(cè)試儀

項(xiàng)量量范目量測(cè)圍測(cè)差測(cè)誤

最大的誤差來自試樣尺寸的誤差，尤其是試樣厚度的誤差，因此厚度應(yīng)足夠大，以滿足測(cè)量所需要的精確度。

1RgxR C(ωgngC=n4+δt /或/ )C C UΔΔ+I//C

技的：特術(shù)輔性橋

量pxF0F±0容5—電 02%p0p±2 C0C40x.F

橋3 31(值48 4Ω 阻歐 臂R  R姆)

其結(jié)果使電容率、介質(zhì)損耗因數(shù)和直流電導(dǎo)率增大。因此試驗(yàn)前和試驗(yàn)時(shí)針對(duì)環(huán)境濕度進(jìn)行控制是B不可少的。

變  ×數(shù)9圍變量C測(cè)019量VT比9：：比：量%范 ～±讀 1度9測(cè)變比精測(cè)9

在較高的頻率下，只要電介質(zhì)中不出現(xiàn)局部放電，電容率和介質(zhì)損耗因數(shù)與電場(chǎng)強(qiáng)度無關(guān)。試樣和電極固體絕緣材料試樣的幾何形狀。

不101～V效值電真有（失宗根壓）

56不壓1在于0H低1敏×格時(shí)-電靈Vz0度/

%介tδδ0x0.t0- . 0±g1±耗1損105損g

但是對(duì)于更高精確度，最好是采用較厚的試樣，例如6mm~12mm，測(cè)量厚度必須使測(cè)量點(diǎn)有規(guī)則地分布在整個(gè)試樣表面上。

1～F    .p50 0μp5μ.V kFk   高31 ：0/ 6  0  外F施～F3V/ 壓

差量量測(cè)測(cè)誤項(xiàng)圍目范測(cè)量

相境橋±溫-要3電0術(shù)對(duì)，條示指為足%列表件下中為2的應(yīng)5技8。求0環(huán)濕%，度下℃本0滿的度

 %讀:1x數(shù)±C+F5.*(5)P

C容量43.F0±0F p5—0p %C0±xx電F2p

波于次諧d二 減小2B不5

且厚度均勻度在±1%內(nèi)，如果材料的密度是已知的，則可用稱量法測(cè)定厚度。選取試樣的面積時(shí)應(yīng)能提供滿足精度要求的試樣電容。

科對(duì)及該量具方的優(yōu)緣電g間、儀、；的有適t簡研確絕備單試單設(shè)位更、容 油用電耗量樣損試、器同驗(yàn) 準(zhǔn)、 便 室高點(diǎn)δ車測(cè)壓器。等測(cè)于

4 00g量 1范0 0：δ 、 1 t＜0%＜測(cè)%圍.

5不 次諧于三波d減0小B

g.：3％、C：0x 率01  0p分0100： δ辨 t.F 

等過安升.程，采了0裝試不級(jí)高保儀，合壓取閘等內(nèi)過輸全變～零出并、作器護(hù)擊K簡。雷防Vk高了5器中0措單的。壓安壓全施、同驗(yàn)V1部操備壓

/0  p  6 F5.0  01施306 p  F0高/F壓 V  F0V～  ～內(nèi) pk0：k1μ

輸 5、：～10.V 1高0k，壓出

術(shù)性特：零裝指的技置

081在 ） 33n=0 2C. 時(shí)（p R=Ω14F  

儀護(hù)：器設(shè)以功有能下保本

用儀電C、量壓量的的以電還，設(shè)正及法δ、感2接互接1方C容式接地可可 該反壓器線。直g量容備主電不測(cè)地容高測(cè)器 t電 電器或 

直確比達(dá)影度望量程準(zhǔn)度衡。中量平準(zhǔn)穩(wěn)到的靈度正。為平 ，通，辨定常度橋證分測(cè)電壓在 橋水，程成容保靈 測(cè)敏，情接用電靈標(biāo)電敏電響的橋量敏度與使電希況過 下橋一電

1A用不高頂流1在，電的臂下電對(duì)B超R，V過超過盤點(diǎn)壓3，橋各中不使電橋Z列規(guī)本的V：定

測(cè)量10pF的電容時(shí)，使用有良好屏蔽保護(hù)的儀器，由于現(xiàn)有儀器的極限分辨能力約1pF，因此試樣應(yīng)薄些。

電場(chǎng)強(qiáng)度存在界面極化時(shí)，自由離子的數(shù)目隨電場(chǎng)強(qiáng)度增大而增加，其損耗數(shù)量最大值的大小和位置也隨此而變。

電容品 )F p 值拉被Cx(測(cè) 試法  

 位      ±1 .      03 9度 °相圍      測(cè)精～0°測(cè)  9 量范 .量   ： 5位：  相

時(shí)03C3（Ω） 41p1 F在 n R=0=8 .

56+ 數(shù)確t(讀0：±準(zhǔn))度 :1.*%2%gδ. 、0

Ω阻1)平   歐(5 衡0R姆 內(nèi)指0儀g約零

指安  零×(-流  I 用儀501通)的1 0A  電g培

，來計(jì)以注電戶大標(biāo)實(shí)壓流電據(jù)，問清準(zhǔn)根式按的作下如容算不以使工驗(yàn)的及楚用出用前上公在應(yīng)概。?？呻娨忸}量

測(cè)定材料的電容率和介質(zhì)損耗因數(shù)，最好采用板狀試樣，也可采用管狀試樣。在測(cè)定電容率需要較高精度時(shí)。

 a5k1 x1 Ωm01×m 1≤  A

電橋量敏測(cè)靈度